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High frequency switch circuit comprising a transistor on the high frequency path

机译:高频开关电路,在高频路径上包括晶体管

摘要

A high frequency switch circuit according to the present invention includes a control-voltage-generating circuit. The control-voltage-generating circuit includes a depletion type field-effect transistor, an external-control-signal-input terminal, an internal-control-voltage-output terminal, and a power-receiving terminal of the control-voltage-generating circuit. The field-effect transistor has a grounded gate, a source connected to the external-control-signal-input terminal, and a drain connected to the power-receiving terminal. The internal-control-voltage-output terminal is connected to an electrical connection path between the drain of the field-effect transistor and the power-receiving terminal.
机译:根据本发明的高频开关电路包括控制电压产生电路。控制电压产生电路包括:耗尽型场效应晶体管;外部控制信号输入端子;内部控制电压输出端子;以及控制电压产生电路的受电端子。 。场效应晶体管具有接地的栅极,连接到外部控制信号输入端子的源极和连接到受电端子的漏极。内部控制电压输出端子连接至场效应晶体管的漏极与受电端子之间的电连接路径。

著录项

  • 公开/公告号US8159283B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YUTA SUGIYAMA;

    申请/专利号US20060997258

  • 发明设计人 YUTA SUGIYAMA;

    申请日2006-07-26

  • 分类号H03K17/687;H01P1/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:28:46

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