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Plasma processing apparatus including etching processing apparatus and ashing processing apparatus and plasma processing method using plasma processing apparatus

机译:包括蚀刻处理设备和灰化处理设备的等离子体处理设备以及使用该等离子体处理设备的等离子体处理方法

摘要

A diameter of a mounting unit of the stage of an ashing processing apparatus is less than a diameter of a mounting unit of the stage of an etching processing apparatus, and the diameter of the mounting unit of the stage of the etching processing apparatus is less than a diameter of an objective item.
机译:灰化处理设备的台架的安装单元的直径小于蚀刻处理设备的台架的安装单元的直径,并且蚀刻处理设备的台架的安装单元的直径小于客观物品的直径。

著录项

  • 公开/公告号US8187485B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HIROYUKI KOBAYASHI;MASARU IZAWA;

    申请/专利号US20100840847

  • 发明设计人 HIROYUKI KOBAYASHI;MASARU IZAWA;

    申请日2010-07-21

  • 分类号H01L21/465;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:27:45

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