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Predicting parasitic capacitance in schematic circuit simulations using sub-circuit modeling

机译:使用子电路建模在原理图电路仿真中预测寄生电容

摘要

A computer-implemented method of determining parasitic capacitance for transistors within an integrated circuit can include determining a first set of coefficients for a first expression that calculates parasitic capacitance for a transistor structure according to a first plurality of parasitic capacitances derived from a plurality of two-dimensional transistor structures (320). The first set of coefficients can be inserted into the first expression (325). The method further can include determining a second set of coefficients for a second expression that calculates parasitic capacitance for a transistor structure according to a second plurality of parasitic capacitances derived from a plurality of three-dimensional transistor structures (345). The second expression can include the first expression (350). The method can include inserting the second set of coefficients into the second expression and outputting the second expression (355).
机译:一种确定集成电路中晶体管的寄生电容的计算机实现的方法,可以包括确定第一表达式的第一组系数,该第一表达式的系数根据从多个二个导数得到的第一多个寄生电容来计算晶体管结构的寄生电容。尺寸晶体管结构( 320 )。可以将第一组系数插入到第一个表达式( 325 )中。该方法还可以包括确定第二表达式的第二组系数,该第二表达式根据从多个三维晶体管结构中得出的第二多个寄生电容来计算晶体管结构的寄生电容( 345 )。第二个表达式可以包含第一个表达式( 350 )。该方法可以包括将第二组系数插入第二表达式中并输出第二表达式( 355 )。

著录项

  • 公开/公告号US8150638B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHUXIAN WU;TAO YU;

    申请/专利号US20080197921

  • 发明设计人 SHUXIAN WU;TAO YU;

    申请日2008-08-25

  • 分类号G06F17/10;G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:26:31

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