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机译:blandingsteknologi-mems /说bicmos,digitaliserende,具有直接RF采样的模拟前端
公开/公告号DK1588495T3
专利类型
公开/公告日2012-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 RAYTHEON COMPANY;
申请/专利号DK20040705276T
发明设计人 LINDER LLOYD F.;CAI KHIEM V.;KENT SAMUEL D. III;
申请日2004-01-26
分类号H04B1/10;H01H1/00;H01H59/00;
国家 DK
入库时间 2022-08-21 17:25:10
机译: blandingsteknologi-mems / bicmos-lc-用于直接射频采样的通带sigma delta
机译: 混合技术MEMS / SiGe BiCMOS前端数字化,具有直接RF采样
机译: 混合技术MEMS / SIGE bicmos数字化前端,具有直接RF采样