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METHOD FOR MEASURING THE ACTIVE KOH CONCENTRATION IN A KOH ETCHING PROCESS

机译:在酸值蚀刻过程中测量活性酸值的方法

摘要

The invention relates to a method for in-line measuring the active KOH concentration in a KOH etching process in which process silicon hydroxide is produced by a reduction reaction according to the formula: 2K+ (aq.) + 2OH- (aq.) + 2H2O + Si - 2K+ (aq.) + H2SiO42- (aq.) + 2H2 (g). The total concentration of KOH bath is measured by using a refractometer and the measurement result is corrected by the estimated K2H2SiO4 concentration.
机译:本发明涉及一种在KOH蚀刻工艺中在线测量活性KOH浓度的方法,在该工艺中,通过根据以下公式的还原反应生成工艺氢氧化硅:2K +(水溶液)+ 2OH-(水溶液)+ 2H2O + Si-> 2K +(水溶液)+ H2SiO42-(水溶液)+ 2H2(克)。通过使用折光仪测量KOH浴的总浓度,并通过估计的K 2 H 2 SiO 4浓度校正测量结果。

著录项

  • 公开/公告号EP2079857A4

    专利类型

  • 公开/公告日2012-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JANESKO OY;

    申请/专利号EP20060807993

  • 发明设计人 VOIPIO VILLE;

    申请日2006-10-11

  • 分类号C23F1/40;G01N21/41;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 17:16:34

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