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机译:低浓度KOH中的各向异性蚀刻:表面活性剂浓度的影响
Dept. of Phys., Indian Inst. of Technol. Hyderabad, Hyderabad, India;
elemental semiconductors; etching; micromechanical devices; silicon; silicon compounds; surfactants; Si; SiOsub2/sub; Si{100} plane; Si{111} plane; Triton X-100; anisotropic etching; conformal etching; convex corners; etch mask; etch rate; etchant; mask corners; mask edges; minimum undercutting; oxide layer; silicon dioxide micromechanical structure fabrication; surfactant concentration effects; surfactant-added low-concentration potassium hydroxide; temperature 60 degC to 76 degC; tetramethylammonium hydroxide;
机译:机械搅拌和表面活性剂添加剂对碱性KOH溶液中硅各向异性刻蚀的影响
机译:各种离子型表面活性剂对KOH和TMAH溶液中硅各向异性刻蚀性能的影响
机译:碱性溶液中的硅各向异性刻蚀III:关于在KOH和KOH + IPA溶液中Si(100)各向异性刻蚀过程中形成空间结构的可能性
机译:单晶硅各向异性刻蚀特性的表征:KOH浓度对刻蚀轮廓的影响
机译:在四甲基氢氧化铵中对硅进行各向异性刻蚀的模型:由于刻面边界效应而引起的异常。
机译:KOH溶液中Si的一步各向异性湿法腐蚀制备的两层微结构
机译:在KOH + Triton X-100中对硅进行各向异性蚀刻,用于45°微镜应用