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GROUP IV ELEMENT DOPED P-TYPE Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) SEMICONDUCTOR
GROUP IV ELEMENT DOPED P-TYPE Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) SEMICONDUCTOR
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机译：第四族元素掺杂的P型Zn（Mg，Cd，Be）O（S，Se）半导体
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A p-type group II-VI semiconductor may include a group IV element as a dopant. The group II-IV semiconductor may be Zn1-a-b-cMgaCdbBecO1-p-qSpSeq, wherein a=0~1, b=0~1, c=0~1, p=0~1 and q=0~1.
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机译：p型II-VI族半导体可以包括IV族元素作为掺杂剂。 II-IV族半导体可以是Zn1-ab-cMg a Cd b Be c O 1-pq S p Se q ，其中a = 0〜1，b = 0〜1，c = 0〜1，p = 0〜1和q = 0〜1。
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