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p-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SILICON SUBSTRATE HAVING p-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL

机译：p型扩散层的形成组成，具有p型扩散层的硅基板的制造方法，太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池

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摘要

The present invention provides: a p-type diffusion layer formation composition containing boron nitride, a dispersion medium, and an inorganic binder; a method for producing a silicon substrate having a p-type diffusion layer; a method for producing a solar cell element; and a solar cell.

机译：本发明提供：p型扩散层形成用组合物，其包含氮化硼，分散介质和无机粘合剂。一种具有p型扩散层的硅基板的制造方法;一种太阳能电池元件的制造方法;和太阳能电池

著录项

公开/公告号WO2012096311A1

专利类型
公开/公告日2012-07-19

原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI CHEMICAL COMPANY LTD.;ORITA AKIHIRO;YOSHIDA MASATO;NOJIRI TAKESHI;MACHII YOICHI;IWAMURO MITSUNORI;KIZAWA KEIKO;ADACHI SHUICHIRO;SATO TETSUYA;
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申请/专利号WO2012JP50391
发明设计人 ORITA AKIHIRO;YOSHIDA MASATO;NOJIRI TAKESHI;MACHII YOICHI;IWAMURO MITSUNORI;KIZAWA KEIKO;ADACHI SHUICHIRO;SATO TETSUYA;
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申请日2012-01-11
分类号H01L21/225;H01L31/04;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 17:14:45

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