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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, A TEST CIRCUIT, AND A TESTING METHOD CAPABLE OF TRANSMITTING DATA TO GIO LINES AT THE SAME TIME

机译:半导体存储器,测试电路以及能够同时将数据传输到GIO线路的测试方法

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device, a test circuit, and a testing method are provided to minimize the test time of a plurality of unit cells by comparing the data of two GIO lines and outputting a fail signal.;CONSTITUTION: A path selecting unit transmits a first data inputted through a first data pad to a first memory cell and a second memory cell in a test mode. A test mode control unit(200) controls one of a plurality of first data pads to show a fail state according to the comparison result by comparing the first data of the first and second memory cells. The test mode control unit controls one of the first data pads to show a high impedance state in a read operation when a fail state is generated. A fail sensing unit outputs a fail sensing signal by comparing the first data of the first memory cell with the first data of the second memory cell.;COPYRIGHT KIPO 2012
机译:目的:提供一种半导体存储器件,测试电路和测试方法,以通过比较两条GIO线的数据并输出故障信号来最小化多个单位单元的测试时间。组成:路径选择单元发送在测试模式下通过第一数据焊盘输入到第一存储单元和第二存储单元的第一数据。测试模式控制单元(200)通过比较第一存储单元和第二存储单元的第一数据,根据比较结果来控制多个第一数据焊盘中的一个以显示故障状态。当产生故障状态时,测试模式控制单元控制第一数据焊盘中的一个在读取操作中显示高阻抗状态。故障感测单元通过将第一存储单元的第一数据与第二存储单元的第一数据进行比较来输出故障感测信号。COPYRIGHTKIPO 2012

著录项

  • 公开/公告号KR20120078571A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号KR20110088155

  • 发明设计人 KANG BOK MOON;JUNG TAE HYUNG;DO CHANG HO;

    申请日2011-08-31

  • 分类号G11C29/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:09:34

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