首页> 外国专利> RAW MATERIAL FOR COBALT FILM FORMATION AND MANUFACTURING METHOD OF COBALT-CONTAINING THIN FILM USING THE RAW MATERIAL

RAW MATERIAL FOR COBALT FILM FORMATION AND MANUFACTURING METHOD OF COBALT-CONTAINING THIN FILM USING THE RAW MATERIAL

机译:用于形成钴膜的原材料和使用该原材料制造含钴薄膜的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cobalt compound suitable for manufacturing a cobalt-containing thin film, and a method for manufacturing the cobalt-containing thin film using a mixture of the cobalt compound.;SOLUTION: A raw material for cobalt film formation includes a bis (amide amino alkane) cobalt compound expressed by a general formula (1) (in the formula, R1 shows a straight-chain, branched or cyclic alkyl group of number of carbon atoms 1-6, and R2 and R3 may be the same or different from each other, and show a straight-chain or branched alkyl group of number of carbon atoms 1-3).;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供适合于制造含钴薄膜的钴化合物,以及使用该钴化合物的混合物制造含钴薄膜的方法。解决方案:用于形成钴膜的原材料包括通式(1)表示的双(酰胺基氨基烷)钴化合物(式中,R1表示碳原子数为1-6的直链,支链或环状烷基,R2和R3可以为彼此相同或不同,并显示碳原子数为1-3的直链或支链烷基)。版权所有:(C)2013,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2013189696A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UBE INDUSTRIES LTD;

    申请/专利号JP20120058799

  • 申请日2012-03-15

  • 分类号C23C16/14;H01L21/285;C07F15/06;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:03:06

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号