要解决的问题:提供一种发光晶闸管,其发射波长为大约680至770 nm的光并改善发光的可控性,以提供具有该发光晶闸管的发光元件阵列,并且提供图像形成装置。解决方案:具有第一和第四半导体层3至6的,具有NPNP结构的发光晶闸管1的第三半导体层5不仅由一种导电类型的AlGaAs形成,而且具有由InGaP形成的第三区域17。在由一种导电类型的AlGaAs形成的第一和第二区域15和16之间具有一种导电类型,并且还具有连接到第三区域17的栅电极11,因此难以氧化的InGaP和栅电极11进入稳定的欧姆接触彼此。因此,栅电极11与第三半导体层5之间的连接部分的电压-电流特性具有线性,并且提高了发光的可控性。
版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT