要解决的问题:要提供一种SiC垂直型MOSFET,该MOSFET配有沟道区和载流电子,该载流子通过在低浓度p型沉积膜中进行离子注入而导回n型,由于注入掩模的对准精度差,因此不会产生沟道区域的宽度变窄的区域,因此,耐压降低,能够同时实现高耐压和低导通电阻。
解决方案:该问题可以通过在从前导层(40)到左,右等距离的位置处提供第二后导层(41、42)来解决,该第二后导层用作电流传输方式,并且通过使用相同的掩模同时进行离子注入来形成这些电子载流方式,从而使元件内每个沟道区域之间的所有间隔均匀。
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