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Ion beam assist sputtering apparatus and ion beam assist sputtering method

机译:离子束辅助溅射装置及离子束辅助溅射方法

摘要

A target; a sputter ion source that irradiates the target with sputter ions and knocks out some of the constituent particles of the target; and a film formation region in which a base material for depositing the particles knocked out of the target An assist ion beam irradiation apparatus that irradiates an assist ion beam from an oblique direction with respect to a normal direction of a film formation surface of the base material installed in the film formation region; The sputter ion source has a plurality of ion guns arranged so that a sputter ion beam can be irradiated from one end of the target to the other end, and the sputter ion beams of the plurality of ion guns An ion beam assisted sputtering apparatus, wherein a current value for generating each is set.
机译:目标;溅射离子源,用溅射离子照射靶,并击出靶的一些组成粒子;辅助离子束照射装置,其从相对于所述基材的膜形成面的法线方向倾斜的方向从倾斜方向照射辅助离子束。安装在成膜区域;溅射离子源具有多个离子枪,该多个离子枪被布置成使得可以从靶的一端向另一端照射溅射离子束,并且该多个离子枪的溅射离子束为离子束辅助溅射设备,其中设置用于生成每个的当前值。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2011043407A1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社フジクラ;

    申请/专利号JP20110535443

  • 发明设计人 羽生 智;飯島 康裕;

    申请日2010-10-07

  • 分类号C23C14/46;H01B13;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:53:11

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