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Processes and structures for beveled slope integrated circuits for interconnect fabrication

机译:用于互连制造的斜面集成电路的工艺和结构

摘要

The present invention discloses methods and apparatuses for the separations of IC fabrication and assembling of separated IC components to form complete IC structures. In an embodiment, the present fabrication separation of an IC structure into multiple discrete components can take advantages of dedicated IC fabrication facilities and achieve more cost effective products. In another embodiment, the present chip assembling provides high density interconnect wires between bond pads, enabling cost-effective assembling of small chip components. In an aspect, the present process provides a beveled slope of the components to facilitate interconnection bonding.
机译:本发明公开了用于IC制造的分离和分离的IC组件的组装以形成完整的IC结构的方法和设备。在一个实施例中,将IC结构分成多个分立组件的当前制造分离可利用专用IC制造设施的优势并获得更具成本效益的产品。在另一个实施例中,本芯片组装在键合焊盘之间提供了高密度的互连线,从而能够经济高效地组装小型芯片组件。在一个方面,本发明方法提供了部件的斜面以促进互连结合。

著录项

  • 公开/公告号US8513110B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JAYNA SHEATS;

    申请/专利号US20090484222

  • 发明设计人 JAYNA SHEATS;

    申请日2009-06-14

  • 分类号H01L21/4763;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:47:27

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