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Graphene/(multilayer) boron nitride heteroepitaxy for electronic device applications

机译:石墨烯/(多层)氮化硼异质外延在电子设备中的应用

摘要

Disclosed is a substrate-mediated assembly for graphene structures. According to an embodiment, long-range ordered, multilayer BN(111) films can be formed by atomic layer deposition (ALD) onto a substrate. The subject BN(111) films can then be used to order carbon atoms into a graphene sheet during a carbon deposition process.
机译:公开了用于石墨烯结构的衬底介导的组件。根据一个实施例,可以通过原子层沉积(ALD)在基板上形成远程有序的多层BN(111)膜。然后,可以在碳沉积过程中使用目标BN(111)膜将碳原子排序为石墨烯片。

著录项

  • 公开/公告号US8338825B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-12-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JEFFRY A. KELBER;

    申请/专利号US201113242878

  • 发明设计人 JEFFRY A. KELBER;

    申请日2011-09-23

  • 分类号H01L29/08;H01L35/24;H01L51;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:44:25

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