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Graphene (multilayer) boron nitride heteroepitaxy for electronic device applications

机译：石墨烯（多层）氮化硼异质外延电子设备应用

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摘要

Disclosed is a substrate-mediated assembly for graphene structures. According to an embodiment, long-range ordered, multilayer BN(111) films can be formed by atomic layer deposition (ALD) onto a substrate. The subject BN(111) films can then be used to order carbon atoms into a graphene sheet during a carbon deposition process.

机译：公开了用于石墨烯结构的衬底介导的组件。根据一个实施例，可以通过原子层沉积（ALD）在基板上形成远程有序的多层BN（111）膜。然后，可以在碳沉积过程中使用目标BN（111）膜将碳原子排序为石墨烯片。

著录项

公开/公告号US8946692B2

专利类型
公开/公告日2015-02-03

原文格式PDF
申请/专利权人 UNIVERSITY OF NORTH TEXAS;
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申请/专利号US201213678827
发明设计人 JEFFRY A KELBER;
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申请日2012-11-16
分类号H01L29/06;H01L29/15;H01L31/0256;H01L29/08;H01L35/24;H01L51;B32B9/04;B82Y30;B82Y40;C01B31/04;C23C16/26;C23C16/34;H01L21/02;H01L21/8238;H01L23/532;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:17:15

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