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Feature size reduction

机译:特征尺寸缩小

摘要

Methods for semiconductor device fabrication are provided. Features are created using spacers. Methods include creating a pattern comprised of at least two first features on the substrate surface, depositing a first conformal layer on the at least two first features, depositing a second conformal layer on the first conformal layer, partially removing the second conformal layer to partially expose the first conformal layer, and partially removing the first conformal layer from between the first features and the second conformal layer thereby creating at least two second features. Optionally the first conformal film is partially etched back before the second conformal film is deposited.
机译:提供了用于半导体器件制造的方法。使用间隔物创建特征。方法包括在基板表面上创建包括至少两个第一特征的图案,在至少两个第一特征上沉积第一保形层,在第一保形层上沉积第二保形层,部分去除第二保形层以部分暴露第一保形层,并且从第一特征和第二保形层之间部分地去除第一保形层,从而产生至少两个第二特征。可选地,在沉积第二保形膜之前,部分地回蚀第一保形膜。

著录项

  • 公开/公告号US8314034B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-11-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ELLIOT N. TAN;MICHAEL K. HARPER;

    申请/专利号US20100978160

  • 发明设计人 MICHAEL K. HARPER;ELLIOT N. TAN;

    申请日2010-12-23

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:44:07

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