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MANUFACTURING METHOD OF THE EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION PHOTOMASK AND A BLANK EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION PHOTOMASK

机译:极紫外光辐射掩模和空白极紫外光辐射掩模的制造方法

摘要

PURPOSE: A manufacturing method of the extreme ultraviolet radiation photomask and a blank extreme ultraviolet radiation photomask are provided to increase absorption efficiencies of the extreme ultraviolet radiation in the absorber pattern.;CONSTITUTION: A blank extreme ultraviolet radiation photomask (100) comprises a substrate(110), a reflective layer(120), an absorber layer(140) and a CD correction layer(150). The reflective layer is arranged on the substrate. The absorber layer is arranged on the reflective layer. The CD correction layer is arranged on the absorber layer. The reflectiveg layer is composed of a structure where molybdenum and silicone are repetitively laminated by turns. The CD correction layer is composed of molybdenum silicon nitride (MoSiN).;COPYRIGHT KIPO 2013
机译:目的:提供一种极端紫外线辐射光掩模的制造方法和一种空白的极端紫外线辐射光掩模,以提高吸收体图案中的极端紫外线辐射的吸收效率。;组成:一种空白的极端紫外线辐射光掩模(100)包括一个基板( 110),反射层(120),吸收层(140)和CD校正层(150)。反射层布置在基板上。吸收层布置在反射层上。 CD校正层布置在吸收体层上。反射层由将钼和硅酮反复交替层叠而成的结构构成。 CD校正层由氮化硅钼(MoSiN)组成。; COPYRIGHT KIPO 2013

著录项

  • 公开/公告号KR20130006747A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号KR20110039821

  • 发明设计人 CHOI CHUNG SEON;

    申请日2011-04-27

  • 分类号G03F1/22;H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:27:50

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