首页> 外国专利> NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL IN PERIODIC TABLE, DEVICE HAVING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL IN PERIODIC TABLE, AND PRODUCTION METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL IN PERIODIC TABLE

NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL IN PERIODIC TABLE, DEVICE HAVING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL IN PERIODIC TABLE, AND PRODUCTION METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP 13 METAL IN PERIODIC TABLE

机译:周期表中第13族金属的氮化物晶体,周期表中具有第13族金属的氮化物半导体的设备以及周期表中第13族金属的氮化物晶体的生产方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride semiconductor crystal of a group 13 metal in the periodic table suitable as a p-type semiconductor layer, and a production method capable of producing such a nitride semiconductor crystal of the group 13 metal in the periodic table.;SOLUTION: A nitride semiconductor crystal of a group 13 metal in the periodic table having the Mg concentration of 1×1018 atoms/cm3 or higher, the H concentration of 5×1017 atoms/cm3 or lower and the O concentration of 1×1017 atoms/cm3 or lower can be used for a crystal suitable as a p-type semiconductor layer.;COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT
机译:解决的问题:在周期表中提供适合作为p型半导体层的第13族金属的氮化物半导体晶体,以及能够在周期表中制造这种第13族金属的氮化物半导体晶体的制造方法。解决方案:元素周期表中第13组金属的氮化物半导体晶体的Mg浓度为1×10 18 原子/ cm 3 或更高,H浓度5×10 17 原子/ cm 3 或更低,O浓度为1×10 17 原子/ cm 3 或更低的值可用于适合用作p型半导体层的晶体。;版权所有:(C)2014,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2014177367A

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI CHEMICALS CORP;

    申请/专利号JP20130051414

  • 发明设计人 KIMURA HIROMITSU;ITO SUMITAKA;

    申请日2013-03-14

  • 分类号C30B29/38;H01L21/208;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:19:29

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