首页> 外国专利> CANARY BASED SRAM ADAPTIVE VOLTAGE SCALING (AVS) ARCHITECTURE AND CANARY CELLS FOR THE SAME

CANARY BASED SRAM ADAPTIVE VOLTAGE SCALING (AVS) ARCHITECTURE AND CANARY CELLS FOR THE SAME

机译:基于Canary的SRAM自适应电压缩放(AVS)架构和相同的Canary单元

摘要

A memory bank includes memory cells and an additional cell to determine an operating voltage of the memory bank. The additional cell has an operating margin that is less than a corresponding operating margin of the other memory cells in the memory bank.
机译:存储体包括存储单元和确定存储体的工作电压的附加单元。附加单元的操作裕度小于存储器组中其他存储器单元的相应操作裕度。

著录项

  • 公开/公告号US2014269137A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.;

    申请/专利号US201414289072

  • 发明设计人 VIVEK ASTHANA;

    申请日2014-05-28

  • 分类号G11C5/14;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:10:15

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号