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Ternary content addressable memory cell having single transistor pull-down stack

机译:具有单晶体管下拉堆栈的三元内容可寻址存储单元

摘要

Ternary CAM cells are disclosed that include a compare circuit that includes a discharge path having a single pull-down transistor coupled between the match line and ground potential.
机译:公开了三元CAM单元,其包括比较电路,该比较电路包括放电路径,该放电路径具有耦合在匹配线和地电势之间的单个下拉晶体管。

著录项

  • 公开/公告号US8582338B1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DIMITRI ARGYRES;

    申请/专利号US201113149878

  • 发明设计人 DIMITRI ARGYRES;

    申请日2011-05-31

  • 分类号G11C15/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:01:50

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