New Content Addressable Memory (CAM) Technologies for Big Data and Intelligent Electronics Enabled by Magneto-Electric Ternary CAM.

著录项

• 作者

  Wang, K. L.;

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• 作者单位

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• 年度 2017
• 页码 1-27
• 总页数 27
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Memory devices; Computing system architectures; Data rates; Energy consumption; Metcam(magneto-electric ternary content addressable memory); Vc-mtj(voltage-controlled magnetic tunnel junction); Sram(static random access memory);

  机译：存储器件;计算系统架构;数据速率;能耗; metcam（磁电三元内容可寻址存储器）; Vc-mtj（电压控制磁隧道结）; sram（静态随机存取存储器）;
• 入库时间 2022-08-29 10:46:08