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Back contact buffer layer for thin-film solar cells

机译:薄膜太阳能电池的背接触缓冲层

摘要

A photovoltaic cell structure is disclosed that includes a buffer/passivation layer at a CdTe/Back contact interface. The buffer/passivation layer is formed from the same material that forms the n-type semiconductor active layer. In one embodiment, the buffer layer and the n-type semiconductor active layer are formed from cadmium sulfide (CdS). A method of forming a photovoltaic cell includes the step of forming the semiconductor active layers and the buffer/passivation layer within the same deposition chamber and using the same material source.
机译:公开了一种光伏电池结构,其在CdTe /背接触界面处包括缓冲/钝化层。缓冲/钝化层由与形成n型半导体有源层相同的材料形成。在一个实施例中,缓冲层和n型半导体有源层由硫化镉(CdS)形成。形成光伏电池的方法包括以下步骤:在相同的沉积室内并使用相同的材​​料源形成半导体有源层和缓冲/钝化层。

著录项

  • 公开/公告号US8829342B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ALVIN D. COMPAAN;VICTOR V. PLOTNIKOV;

    申请/专利号US201013515686

  • 发明设计人 ALVIN D. COMPAAN;VICTOR V. PLOTNIKOV;

    申请日2010-10-19

  • 分类号H01L31/0296;H01L31/18;H01L31/073;H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/0216;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:01:45

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