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Ultra-low-power variation-tolerant radiation-hardened cache design

机译:超低功耗,耐变化的辐射硬化缓存设计

摘要

A random access memory (RAM) cell provides a control section and a storage section coupled to the storage section. The storage section includes complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) transistors and the storage section is read by precharging the control section to a virtual drain voltage.
机译:随机存取存储器(RAM)单元提供控制部分和耦合到该存储部分的存储部分。存储部分包括互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管,并且通过将控制部分预充电到虚拟漏极电压来读取存储部分。

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