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机译：具有肖特基势垒的ZnO基半导体结构
公开/公告号PL218054B1
专利类型
公开/公告日2014-10-31
原文格式PDF
申请/专利权人 INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ;
申请/专利号PL20100390966
发明设计人 ELIANA KAMIŃSKA;ANNA PIOTROWSKA;
申请日2010-04-12
分类号H01L29/00;H01L29/47;H01L29/872;
国家 PL
入库时间 2022-08-21 15:56:38
机译： 具有肖特基势垒的ZnO基半导体结构
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