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Manufacturing method of Quantum Dot-Sensitized photoanode

机译:量子点敏化光电阳极的制造方法

摘要

PURPOSE: A quantum dot-sensitized solar cell is provided to increase the light absorption rate of a quantum dot and to efficiently transmit electrons and holes without recombination. CONSTITUTION: A counter electrode faces a photocathode. The photocathode includes a transparent conductive substrate, a photosensitive quantum dot layer, and a ZnS capping layer. The photocathode is thermally processed after the ZnS capping layer is formed. The transparent conductive substrate is a fluorine-doped tin oxide substrate. An electrolyte is interposed between the counter electrode and the photocathode. [Reference numerals] (AA) Quantum dot; (BB) Thermal process
机译:目的:提供一种量子点敏化太阳能电池,以提高量子点的光吸收率并有效地传输电子和空穴而无需复合。组成:反电极面对光电阴极。光电阴极包括透明导电衬底,光敏量子点层和ZnS覆盖层。在形成ZnS覆盖层之后,对光电阴极进行热处理。透明导电基板是氟掺杂的氧化锡基板。电解质介于对电极和光电阴极之间。 [附图标记](AA)量子点; (BB)热处理

著录项

  • 公开/公告号KR101409267B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20120014816

  • 发明设计人 안광순;정성우;서명수;정연구;

    申请日2012-02-14

  • 分类号H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:41

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