退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:EUV光刻设备和EUV光刻设备中污染物的检测方法
公开/公告号JP2012501072A5
专利类型
公开/公告日2015-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP2011524210
发明设计人
申请日0000-00-00
分类号H01L21/027;G03F7/20;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 15:35:43
机译: EUV光刻设备和EUV光刻设备中污染物的检测方法
机译: 用于多层反射膜涂覆的基材的平版印刷版制备方法和平版印刷平版印刷反射掩模坯料的制造方法,平版印刷平版印刷反射掩模的制造方法和半导体器件的制备方法
机译: 用于EUV光刻的掩模坯料的衬底的制造方法,具有用于EUV光刻的多层反射膜的衬底的制造方法,用于EUV光刻的掩模坯的制造方法以及用于EUV光刻的转移掩模的制造方法