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METHOD OF PRODUCING WHITE GAN POWDER, AND WHITE GAN POWDER

机译:白干粉的制造方法以及白干粉

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of producing a white GaN powder for a sputtering target that can form a GaN thin film having high purity and excellent crystallinity at low cost by a sputtering method to obtain the GaN thin film excellent in properties as a fluophor and communication element, and such a white GaN powder.;SOLUTION: This invention provides a method of producing a white GaN powder, the method comprising the step of heating Ga2O3 powder in a pressurized atmosphere furnace of ammonia at temperature lower than or equal to 900°C for 3-4 hours.;COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种制备用于溅射靶的白色GaN粉末的方法,该方法可以通过溅射方法以低成本形成具有高纯度和优异结晶性的GaN薄膜,从而获得性能优异的GaN薄膜。解决方案:本发明提供了一种生产白色GaN粉末的方法,该方法包括以下步骤:在加压气氛的氨气炉中在低于或等于温度的温度下加热Ga 2 O 3粉末。 900°C 3-4小时。;版权:(C)2016,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2015180599A

    专利类型

  • 公开/公告日2015-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOJUNDO CHEM LAB CO LTD;

    申请/专利号JP20150122637

  • 发明设计人 SHIBAYAMA TAKASANE;MISUNO ATSUSHI;

    申请日2015-06-18

  • 分类号C01B21/06;C23C14/34;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 15:35:40

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