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SURFACE PASSIVATION OF HIGH-EFFICIENCY CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS

机译:高效结晶硅太阳能电池的表面钝化

摘要

Stable surface passivation on a crystalline silicon substrate is provided by forming a more heavily doped region as a front surface field and/or a doped dielectric layer under a passivation layer on the silicon substrate surface. A passivation layer is deposited on the front surface field and/or doped dielectric layer.
机译:通过在硅衬底表面上的钝化层下方形成更重的掺杂区域作为前表面场和/或掺杂的介电层,从而在晶体硅衬底上提供稳定的表面钝化。钝化层沉积在前表面场和/或掺杂的介电层上。

著录项

  • 公开/公告号US2015101662A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-04-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOLEXEL INC.;

    申请/专利号US201414325356

  • 发明设计人 SEAN M. SEUTTER;MEHRDAD M. MOSLEHI;

    申请日2014-07-07

  • 分类号H01L31/0216;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:26:06

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