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CELL-BASED IC LAYOUT SYSTEM AND CELL-BASED IC LAYOUT METHOD

机译:基于单元的集成电路布图系统和基于单元的集成电路布图方法

摘要

A decoupling capacitor cell includes: a first decoupling capacitor formed by only a pMOS transistor; and a second decoupling capacitor formed by two metal layers. The decoupling capacitor cell is arranged in an unused region not occupied by basic cells in a cell-based IC and is connected to a power wiring and a ground wiring.
机译:去耦电容器单元包括:仅由pMOS晶体管形成的第一去耦电容器;以及第一去耦电容器。第二去耦电容器由两个金属层形成。去耦电容器单元被布置在基于单元的IC中未被基本单元占据的未使用区域中,并且被连接至电源线和接地线。

著录项

  • 公开/公告号US2015137202A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-05-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ROHM CO. LTD.;

    申请/专利号US201514608410

  • 发明设计人 YOSHIHARU KITO;

    申请日2015-01-29

  • 分类号H01L27/06;H01L27/02;G06F17/50;H01G4/38;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:25:58

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