首页> 外国专利> Cell-based IC, cell-based IC layout system, and layout method

Cell-based IC, cell-based IC layout system, and layout method

机译:基于单元的ic,基于单元的ic布局系统和布局方法

摘要

A dummy gate cell includes an nMOS transistor and a pMOS transistor, wherein a drain electrode of the nMOS transistor is not connected to a drain electrode of the pMOS transistor and the dummy gate cell is disposed in an unused area not occupied by a basic cell in a cell-based IC.
机译:伪栅极单元包括nMOS晶体管和pMOS晶体管,其中,nMOS晶体管的漏极未连接到pMOS晶体管的漏极,并且伪栅极单元被布置在未被基本单元占据的未使用区域中。基于单元的IC。

著录项

  • 公开/公告号JP6001893B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-10-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ローム株式会社;

    申请/专利号JP20120066850

  • 发明设计人 鬼頭 義晴;

    申请日2012-03-23

  • 分类号H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L21/8238;H01L27/092;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 14:41:12

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号