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POLYMERIC MATERIALS IN SELF-ASSEMBLED ARRAYS AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHODS COMPRISING SUCH POLYMERIC MATERIALS

机译:自组装阵列和半导体结构中的高分子材料以及包含这种高分子材料的方法

摘要

Methods for fabricating sublithographic, nanoscale microstructures in line arrays utilizing self-assembling block copolymers, and films and devices formed from these methods are provided. Semiconductor structures may include self-assembled block copolymer materials in the form of lines of half-cylinders of a minority block matrix of a majority block of the block copolymer. The lines of half-cylinders may be within trenches in the semiconductor structures.
机译:提供了利用自组装嵌段共聚物制造线阵列中的亚光刻纳米级微结构的方法,以及由这些方法形成的膜和器件。半导体结构可以包括以嵌段共聚物的多数嵌段的少数嵌段基质的半圆筒线的形式的自组装嵌段共聚物材料。半圆柱线可以在半导体结构的沟槽内。

著录项

  • 公开/公告号US2015137331A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-05-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US201514605276

  • 发明设计人 DAN B. MILLWARD;DONALD L. WESTMORELAND;

    申请日2015-01-26

  • 分类号H01L29/06;H01L21/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:25:59

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