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W18O49-TYPE TUNGSTEN OXIDE NANOMATERIAL AND APPLICATIONS THEREOF IN LIGHT SENSOR, MOSFET AND SOLAR CELL

机译:W18O49型氧化钨纳米材料及其在光传感器,MOSFET和太阳能电池中的应用

摘要

The invention proposes W18O49-type tungsten oxide nanomaterial, which is fabricated with a precursor comprising WS2 and formed by thermal oxidation from the precursor. Applications using W18O49-type tungsten oxide nanomaterial in light sensor, MOSFET and solar cell, are also disclosed.
机译:本发明提出了W 18 O 49 型氧化钨纳米材料,其由包含WS 2 的前驱体制成,并通过热氧化而形成。前体。还公开了使用W 18 O 49 型氧化钨纳米材料在光传感器,MOSFET和太阳能电池中的应用。

著录项

  • 公开/公告号US2015075594A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY;

    申请/专利号US201414158694

  • 发明设计人 TRI-RUNG YEW;YU-MING HSU;

    申请日2014-01-17

  • 分类号H01L29/26;H01L31/032;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:25:51

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