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Method of depositing films with narrow-band conductive properties

机译:沉积具有窄带导电特性的薄膜的方法

摘要

Conducting materials having narrow impurity conduction bands can reduce the number of high energy excitations, and can be prepared by a sequence of plasma treatments. For example, a dielectric layer can be exposed to a first plasma ambient to form vacancy sites, and the vacancy-formed dielectric layer can be subsequently exposed to a second plasma ambient to fill the vacancy sites with substitutional impurities.
机译:具有窄的杂质导带的导电材料可以减少高能激发的次数,并且可以通过一系列的等离子体处理来制备。例如,可以将介电层暴露于第一等离子体环境中以形成空位,并且可以将形成空位的介电层随后暴露于第二等离子体环境中以用替代杂质填充空位。

著录项

  • 公开/公告号US9105704B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERMOLECULAR INC.;

    申请/专利号US201213722931

  • 发明设计人 DIPANKAR PRAMANIK;SERGEY BARABASH;

    申请日2012-12-20

  • 分类号H01L21/3065;H01L29/78;H01L21/3105;H01L21/28;H01L21/768;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:22:58

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