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SiC bodies and process for the fabrication of SiC bodies

机译:SiC体及其制造方法

摘要

Disclosed is a method for the synthesis of silicon carbide (SiC) bodies having a relative density of 99% or higher and a SiC body synthesized according to the method.
机译:公开了一种用于合成具有99%或更高的相对密度的碳化硅(SiC)体的方法以及根据该方法合成的SiC体。

著录项

  • 公开/公告号US9162929B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LIONEL VARGAS-GONZALEZ;ROBERT SPEYER;

    申请/专利号US20090629641

  • 发明设计人 LIONEL VARGAS-GONZALEZ;ROBERT SPEYER;

    申请日2009-12-02

  • 分类号C04B35/575;C04B35/626;C04B35/628;C04B35/634;C04B35/64;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:22:52

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