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Thin film transistor substrate having a thin film transistor having multiple top gates and organic light emitting device using the same

机译:具有具有多个顶栅的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的有机发光器件

摘要

A thin film transistor substrate provided with two gate electrodes comprises a thin film transistor including a first gate electrode formed on the substrate; an active layer formed on the first gate electrode; first and second electrodes formed on the active layer; and a second gate electrode formed on the first electrode, the second electrode, and the active layer, wherein the second gate electrode is provided with an opening formed in an area corresponding to at least a part of the second electrode.
机译:具有两个栅电极的薄膜晶体管基板包括:薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括形成在该基板上的第一栅电极;以及第一晶体管。在第一栅电极上形成的有源层;在有源层上形成第一和第二电极;第二栅电极形成在第一电极,第二电极和有源层上,其中第二栅电极在与第二电极的至少一部分相对应的区域中形成有开口。

著录项

  • 公开/公告号US9142669B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG DISPLAY CO. LTD.;

    申请/专利号US201414266227

  • 发明设计人 WON JOON HO;HONG JAE SHIN;JUNG HYUN LEE;

    申请日2014-04-30

  • 分类号H01L29/08;H01L35/24;H01L51/00;H01L29/10;H01L29/04;H01L31/00;H01L27/14;H01L29/15;H01L29/78;H01L29/786;H01L27/32;H01L27/12;H01L29/417;H01L51/40;H01L21/00;H01L21/84;H01J1/62;H01J63/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:20:29

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