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METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING GENERATING PHOTOMASKS FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY

机译:一种用于直接自组装的集成电路的方法,包括生成的照片集

摘要

Methods for fabricating integrated circuits are provided. In one example, a method for fabricating an integrated circuit includes generating a photomask for forming a DSA directing pattern on a semiconductor substrate. The DSA directing pattern is configured to guide a self-assembly material deposited thereon that undergoes directed self-assembly (DSA) to form a DSA pattern. Generating the photomask includes, using a computing system, inputting a DSA target pattern. Using the computing system, a DSA model, an OPC model, and a MPC model, cooperatively running a DSA PC algorithm, an OPC algorithm, and a MPC algorithm to produce an output MPCed pattern for a mask writer to write on the photomask.
机译:提供了制造集成电路的方法。在一个示例中,一种用于制造集成电路的方法包括:产生用于在半导体衬底上形成DSA引导图案的光掩模。 DSA引导图案被配置为引导沉积在其上的自组装材料,该自组装材料经历定向自组装(DSA)以形成DSA图案。产生光掩模包括使用计算系统输入DSA目标图案。使用该计算系统,DSA模型,OPC模型和MPC模型,协同运行DSA PC算法,OPC算法和MPC算法,以产生输出MPC图案,以供掩模写入器在光掩模上写入。

著录项

  • 公开/公告号US2015012896A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES INC.;

    申请/专利号US201313936910

  • 发明设计人 VITO DAI;YI ZOU;AZAT LATYPOV;

    申请日2013-07-08

  • 分类号G03F7/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:19:08

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