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Cut mask aware contact enclosure rule for grating and cut patterning solution

机译:切割掩模感知的接触外壳规则,用于光栅和切割图案解决方案

摘要

Methodologies and an apparatus enabling a selection of design rules to improve a density of features of an IC design are disclosed. Embodiments include: determining a feature overlapping a grating pattern of an IC design, the grating pattern including a plurality of grating structures; determining a shape of a cut pattern overlapping the grating pattern; and selecting one of a plurality of rules for the feature based on the determined shape.
机译:公开了能够选择设计规则以改善IC设计的特征密度的方法和装置。实施例包括:确定与IC设计的光栅图案重叠的特征,所述光栅图案包括多个光栅结构;确定与光栅图案重叠的切割图案的形状;以及基于所确定的形状为所述特征选择多个规则之一。

著录项

  • 公开/公告号US8918746B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-12-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES INC.;

    申请/专利号US201314018074

  • 发明设计人 LEI YUAN;JONGWOOK KYE;HARRY J. LEVINSON;

    申请日2013-09-04

  • 分类号G06F17/50;G06F19;G21K5;G01N23;G03F1;H01L21;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:17:34

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