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Trenched and implanted accumulation mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

机译：沟槽和注入累积模式金属氧化物半导体场效应晶体管

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摘要

The present invention provides AccuFETs with single or dual accumulation channels and methods for manufacturing the same. The present invention also provides for products produced by the methods of the present invention and for apparatuses used to perform the methods of the present invention.

机译：本发明提供具有单或双累积通道的AccuFET及其制造方法。本发明还提供了通过本发明的方法生产的产品以及用于执行本发明的方法的设备。

著录项

公开/公告号US9054183B2

专利类型
公开/公告日2015-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人 LEONID FURSIN;XUEQING LI;
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申请/专利号US201313940751
发明设计人 XUEQING LI;LEONID FURSIN;
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申请日2013-07-12
分类号H01L29/80;H01L29/78;H01L29/66;H01L29/06;H01L21/265;H01L29/423;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:17:15

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