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Contact material for vacuuminterrupter and method of making a contact material

机译:真空灭弧室用触头材料及其制造方法

摘要

Contact material for vacuum interrupter and method of making a contact material. In order to being enabled in a precise control of the Si concentration of Cu/Cr contact materials contact material has a chromium content which is above 10 wt.% and that the material is doped with silicon below 0 2 wt.% (2000 ppm Si) and the remainder is copper Cu.
机译:用于真空灭弧室的接触材料和制造接触材料的方法。为了能够精确控制Cu / Cr接触材料的Si浓度,接触材料的铬含量高于10 wt。%,并且材料掺杂的硅低于0 2 wt。%(2000 ppm Si ),其余为铜铜。

著录项

  • 公开/公告号IN2013DN10089A

    专利类型

  • 公开/公告日2015-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN10089/DELNP/2013

  • 发明设计人 GENTSCH DIETMAR;SIMON REINHARD;

    申请日2013-11-25

  • 分类号H01H1/02;C22C27/06;C22C1/04;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 15:14:58

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