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一种真空灭弧室触头材料表面镀层及其处理方法

摘要

本发明公开了一种真空灭弧室触头材料表面镀层及其处理方法,该方法采用金属铜铬钼靶材在CuCr合金触头材料基底上形成CuCrMo合金膜,其中按质量百分数,CuCrMo合金膜中Cr含量25%~55%,Mo含量5%~9%,其余为Cu,具体的,包括:步骤1:对CuCr合金触头材料基底进行打磨和抛光处理;步骤2:将打磨和抛光处理后的CuCr合金触头材料基底进行清洗、吹干;步骤3:在清洗、吹干后的CuCr合金触头材料基底表面采用磁控溅射的方法镀覆CuCrMo合金膜,最终获得生长有CuCrMo合金膜的CuCr合金触头材料基片。该处理方法制备得到的镀层,其厚度为1μm~20μm。本发明得到的CuCrMo合金膜相比CuCr35具有更高的耐电压强度,更低的截流值和更长的燃弧时间。

著录项

  • 公开/公告号CN111074209A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201911381450.9

  • 申请日2019-12-27

  • 分类号C23C14/16(20060101);C23C14/35(20060101);C22C9/00(20060101);C22C27/06(20060101);C22C30/02(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人闵岳峰

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-12-17 08:17:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/16 申请日:20191227

    实质审查的生效

  • 2020-04-28

    公开

    公开

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