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copper metallization process for use in the manufacture of an integrated circuit by using the wafer level packaging technology, 3d

机译:通过晶片级封装技术在集成电路制造中使用的铜金属镀膜工艺,3d

摘要

method of bonding to copper based, connection line (32)) and vias through 34 (fig.a) for use in the manufacture of an integrated circuit of an image sensor in general. in particular, the wafer level packaging technology, using 3d to reduce the co production, and improved electrical performance at the level of the particular image sensor 1 and said for the realization of interconnects in integrated circuits in three dimensions.
机译:的方法,其通常用于制造图像传感器集成电路时,将其连接到铜基连接线(32)和通孔34(图a)。特别地,晶片级封装技术,其使用3d减少了生产量,并在特定图像传感器1的水平上改善了电性能,并表示用于实现集成电路中的三维互连。

著录项

  • 公开/公告号MA20150146A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-05-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEMOTEK TECHNOLOGIES;

    申请/专利号MA20130036343

  • 发明设计人 SAID ZAHRAOUI;ZOUHAIR SBIAA;

    申请日2013-10-14

  • 分类号C23C14/34;H01L21/00;H01L23/538;

  • 国家 MA

  • 入库时间 2022-08-21 15:14:01

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