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机译:具有镜面原子光滑表面的(Al)Ga(As)Sb / GaSb结构的制备方法
公开/公告号PL219949B1
专利类型
公开/公告日2015-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ;
申请/专利号PL20100392541
发明设计人 WŁADYSŁAWA AGATA JASIK;KAZIMIERZ REGIŃSKI;
申请日2010-09-29
分类号C30B25/02;C30B29/40;
国家 PL
入库时间 2022-08-21 15:13:27
机译: 具有镜面原子光滑表面的(Al)Ga(As)Sb / GaSb结构的制备方法
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