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HIGH INDIUM UPTAKE AND HIGH POLARIZATION RATIO FOR GROUP-III NITRIDE OPTOELECTRONIC DEVICES FABRICATED ON A SEMIPOLAR (20-2-1) PLANE OF A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE

机译：制备于亚硝酸镓基板半（20-2-1）平面上的III族氮化物光电子器件的高吸收和高极化率

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摘要

A Group-Ill nitride optoelectronic device fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a Gallium Nitride (GaN) substrate is characterized by a high Indium uptake and a high polarization ratio.

机译：在氮化镓（GaN）衬底的半极性（20-2-1）平面上制造的III族氮化物光电器件的特征在于高铟吸收和高极化比。

著录项

公开/公告号EP2702618A4

专利类型
公开/公告日2015-05-27

原文格式PDF
申请/专利权人 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA;
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申请/专利号EP20120777636
发明设计人 ZHAO YUJI;NAKAMURA SHUJI;HUANG CHIA-YEN;TANAKA SHINICHI;SPECK JAMES S.;FEEZELL DANIEL F.;DENBAARS STEVEN P.;
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申请日2012-04-30
分类号H01L33/16;H01L33/00;H01L33/32;H01S5/32;H01S5/343;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 15:06:13

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