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ION IMPLANTATION AND ANNEALING FOR HIGH EFFICIENCY BACK-CONTACT BACK-JUNCTION SOLAR CELLS

机译:高效反接触反接太阳能电池的离子注入和退火

摘要

A back contact back junction thin-film solar cell is formed on a thin-film semiconductor solar cell. Preferably the thin film semiconductor material comprises crystalline silicon. Emitter regions, selective emitter regions, and a back surface field are formed through ion implantation and annealing processes.
机译:背接触背结薄膜太阳能电池形成在薄膜半导体太阳能电池上。优选地,薄膜半导体材料包括晶体硅。通过离子注入和退火工艺形成发射极区,选择性发射极区和背面场。

著录项

  • 公开/公告号EP2715797A4

    专利类型

  • 公开/公告日2015-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOLEXEL INC.;

    申请/专利号EP20120793962

  • 申请日2012-05-29

  • 分类号H01L31/18;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:06:07

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