首页> 外国专利> METHOD FOR ANALYZING CMOS DYNAMIC POWER DISSIPATION USING TEMPORAL PARALLEL SIMULATION

METHOD FOR ANALYZING CMOS DYNAMIC POWER DISSIPATION USING TEMPORAL PARALLEL SIMULATION

机译:基于时间并行仿真的CMOS动态功耗分析方法

摘要

The present invention relates to a method for rapidly and accurately predicting dynamic power consumption through a simulation. Switching frequency information required for predicting dynamic power consumption is collected in parallel when at least two simulators are independently performed in parallel through a temporal parallel simulation.
机译:本发明涉及一种通过仿真来快速且准确地预测动态功耗的方法。当通过时间并行仿真独立地并行执行至少两个模拟器时,并行收集预测动态功耗所需的开关频率信息。

著录项

  • 公开/公告号KR20140141950A

    专利类型

  • 公开/公告日2014-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YANG SEI YANG;

    申请/专利号KR20130063358

  • 发明设计人 YANG SEI YANG;

    申请日2013-06-03

  • 分类号G01R22/06;G01R22;G01R21;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:01:25

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号