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EUV RESIST SENSITIVITY REDUCTION

机译:降低EUV感光度

摘要

A method of patterning the substrates 110, 310, 410, and 606 is described. The method includes forming a layer of radiation sensitive material 120, 320, 420, 616 on a substrate 110, 310, 410, 606, and forming a layer of radiation sensitive material 120, 320, 321, 422, 612, wherein the pattern (122, 321, 422, 612) comprises a CD (critical dimension) (124, 325, 618) And roughness (125, 424, 649). After fabricating patterns 122, 321, 422 and 612 on the layers of radiation sensitive material 120, 320, 420 and 616, the method can reduce CD 124, 325 and 618 to reduced CD 134, (CD) slimming process to reduce the roughness (125, 424, 649) to a reduced roughness (135, 425, 669) smoothing process).
机译:描述了图案化基板110、310、410和606的方法。该方法包括在基板110、310、410、606上形成辐射敏感材料层120、320、420、616,以及在辐射敏感材料层120、320、321、422、612上形成层,其中图案( 122、321、422、612)包括CD(临界尺寸)(124、325、618)和粗糙度(125、424、649)。在辐射敏感材料120、320、420和616的层上制作出图案122、321、422和612之后,该方法可以将CD 124、325和618减少到CD 134减少,(CD)减薄工艺以减少粗糙度( 125、424、649)到降低的粗糙度(135、425、669)进行平滑处理。

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