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Normally-off semiconductor switches and normally-off JFETs

机译:常关半导体开关和常关JFET

摘要

A normally-off JFET is provided. The normally-off JFET includes a channel region of a first conductivity type, a floating semiconductor region of a second conductivity type adjoining the channel region, and a contact region of the first conductivity type adjoining the floating semiconductor region. The floating semiconductor region is arranged between the contact region and the channel region. Further, a normally-off semiconductor switch is provided.
机译:提供了常关JFET。常关JFET包括第一导电类型的沟道区域,与沟道区域邻接的第二导电类型的浮置半导体区域,以及与浮置半导体区域邻接的第一导电类型的接触区域。浮置半导体区域布置在接触区域和沟道区域之间。此外,提供了常关半导体开关。

著录项

  • 公开/公告号US9343588B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WOLFGANG WERNER;

    申请/专利号US201113031956

  • 发明设计人 WOLFGANG WERNER;

    申请日2011-02-22

  • 分类号H01L29/808;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:31:33

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