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System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

机译:包括具有不同类型的集成电路存储设备的分层存储模块的系统

摘要

Volatile memory devices corresponding to a first memory hierarchy may be on a first memory module that is coupled to a memory controller by a first signal path. A nonvolatile memory device corresponding to a second memory hierarchy may be on a second memory module that is coupled to the first memory module by a second signal path. Memory transactions for the nonvolatile memory device may be transferred from the memory controller to the first memory hierarchy using the first signal path, and data associated with an accumulation of the memory transactions may be written from the first memory hierarchy to the second memory hierarchy using the second signal path and a first and second control signal. The first control signal may be generated in view of a detection of wear and the second control signal may be generated in view of a detection of a defect.
机译:对应于第一存储器层级的易失性存储器设备可以在第一存储器模块上,该第一存储器模块通过第一信号路径耦合到存储器控制器。对应于第二存储器层次结构的非易失性存储设备可以在第二存储器模块上,该第二存储器模块通过第二信号路径耦合到第一存储器模块。可以使用第一信号路径将用于非易失性存储设备的存储器事务从存储器控制器转移到第一存储器层次结构,并且可以使用第二信号路径将与存储器事务的累积相关联的数据从第一存储器层次结构写入第二存储器层次结构。第二信号路径以及第一和第二控制信号。可以根据磨损的检测来产生第一控制信号,并且可以根据缺陷的检测来产生第二控制信号。

著录项

  • 公开/公告号US9460021B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-10-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAMBUS INC.;

    申请/专利号US201514883916

  • 发明设计人 CRAIG HAMPEL;MARK HOROWITZ;

    申请日2015-10-15

  • 分类号G06F12;G06F12/08;G06F13/16;G11C5/04;G11C7/10;G11C29/12;G11C29;G06F3/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:29:32

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