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Method for fabricating nano-patterned substrate for high-efficiency nitride-based light-emitting diode

机译:高效氮化物基发光二极管的纳米图案基板的制备方法

摘要

Provided is a method of manufacturing a substrate for a light emitting diode including a convex section forming step and a crystallization/crystallizing step. According to the method and the substrate for the light emitting diode, light extraction is significantly improved and nano to micron sized pattern, economically formed.
机译:提供一种用于制造发光二极管的基板的方法,其包括凸部形成步骤和结晶/结晶步骤。根据该方法和用于发光二极管的基板,显着改善了光提取并且经济地形成了纳米至微米尺寸的图案。

著录项

  • 公开/公告号US9246050B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HUNETPLUS CO. LTD.;

    申请/专利号US201314394739

  • 发明设计人 HYUK-JIN CHA;HEON LEE;EUN-SEO CHOI;

    申请日2013-04-17

  • 分类号H01L27/15;H01L33;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/311;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:29:16

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